Ваш любимый книжный интернет-магазин
Перейти на
GlavKniga.SU
Ваш город: Алматы
Ваше местоположение – Алматы
 Да 
От вашего выбора зависит время и стоимость доставки
Корзина: пуста
Авторизация 
  Логин
  
  Пароль
  
Регистрация  Забыли пароль?

Поиск по каталогу 
(строгое соответствие)
ISBN
Фраза в названии или аннотации
Автор
Язык книги
Год издания
с по
Электронный носитель
Тип издания
Вид издания
Отрасли экономики
Отрасли знаний
Сферы деятельности
Надотраслевые технологии
Разделы каталога
худ. литературы

Engineered type-II heterostru?ctures for high efficiency solar cells.

В наличии
Местонахождение: АлматыСостояние экземпляра: новый
Бумажная
версия
Автор: Jinyoung Hwang
ISBN: 9783844306149
Год издания: 2014
Формат книги: 60×90/16 (145×215 мм)
Количество страниц: 136
Издательство: LAP LAMBERT Academic Publishing
Цена: 39306 тг
Положить в корзину
Позиции в рубрикаторе
Отрасли экономики:
Код товара: 113577
Способы доставки в город Алматы *
комплектация (срок до отгрузки) не более 2 рабочих дней
Самовывоз из города Алматы (пункты самовывоза партнёра CDEK)
Курьерская доставка CDEK из города Москва
Доставка Почтой России из города Москва
      Аннотация: The third-generation solar cell technologies are aiming to achieve substantially higher efficiency over the Shockley-Queisser limit of a single junction solar cell while maintaining low fabrication cost per area in order to become cost competitive with coal fuel. The demanding of a breakthrough in efficiency leads the research to the development of photovoltaic devices with a new concept of fundamental operation other than the structure of single junction solar cells and to the employment of various materials and nanostructures to the devices. The purpose of the projects in this book to present nanostructures with type-II heterointerface that can provide additional possibilities to certain types of third generation solar cells for achieving an efficiency close to the theoretical maximum limit.
Ключевые слова: quantum dots, Solar Cells, superlattices, III-V Compound Semiconductors, Type-II heterostructures