Ваш любимый книжный интернет-магазин
Перейти на
GlavKniga.SU
Ваш город: Алматы
Ваше местоположение – Алматы
 Да 
От вашего выбора зависит время и стоимость доставки
Корзина: пуста
Авторизация 
  Логин
  
  Пароль
  
Регистрация  Забыли пароль?

Поиск по каталогу 
(строгое соответствие)
ISBN
Фраза в названии или аннотации
Автор
Язык книги
Год издания
с по
Электронный носитель
Тип издания
Вид издания
Отрасли экономики
Отрасли знаний
Сферы деятельности
Надотраслевые технологии
Разделы каталога
худ. литературы

Electron transport properties in semiconductor at high electric fields.

В наличии
Местонахождение: АлматыСостояние экземпляра: новый
Бумажная
версия
Автор: Basma ElAssy
ISBN: 9783659333750
Год издания: 2013
Формат книги: 60×90/16 (145×215 мм)
Количество страниц: 168
Издательство: LAP LAMBERT Academic Publishing
Цена: 40645 тг
Положить в корзину
Позиции в рубрикаторе
Отрасли знаний:
Код товара: 118384
Способы доставки в город Алматы *
комплектация (срок до отгрузки) не более 2 рабочих дней
Самовывоз из города Алматы (пункты самовывоза партнёра CDEK)
Курьерская доставка CDEK из города Москва
Доставка Почтой России из города Москва
      Аннотация: The aim of this work is to study the transport properties of GaAs, InP, GaInAs and InN such as the drift velocity, the drift mobility and the average electron energy at high electric field using ensemble Monte Carlo Simulation Technique. These transport properties also calculated at different temperature and doping values in order to show their effects. The included scattering mechanisms in our work are polar optical phonon, ionized impurity,acoustic phonon and intervalley phonon and the scattering rate of these scattering mechanisms is calculated.
Ключевые слова: solid state physics