| Поиск по каталогу |
|
(строгое соответствие)
|
- Профессиональная
- Научно-популярная
- Художественная
- Публицистика
- Детская
- Искусство
- Хобби, семья, дом
- Спорт
- Путеводители
- Блокноты, тетради, открытки
An SOI LDMOS For Better Switch Application. Electron Devices
В наличии
| Местонахождение: Алматы | Состояние экземпляра: новый |
Бумажная
версия
версия
Автор: Arindam Biswas,Arzoo Rafique and Anup Kumar Bhattacharjee
ISBN: 9783659406751
Год издания: 2013
Формат книги: 60×90/16 (145×215 мм)
Количество страниц: 84
Издательство: LAP LAMBERT Academic Publishing
Цена: 25834 тг
Положить в корзину
Позиции в рубрикаторе
Отрасли экономики:Код товара: 122626
| Способы доставки в город Алматы * комплектация (срок до отгрузки) не более 2 рабочих дней |
| Самовывоз из города Алматы (пункты самовывоза партнёра CDEK) |
| Курьерская доставка CDEK из города Москва |
| Доставка Почтой России из города Москва |
Аннотация: This book is proposed to develop an SOI (Silicon on Insulator) LDMOS in which a drift region of 1-?m is added to a conventional n-MOS and compare them on various aspects. The drift region utilizes the RESURF effect that is utilized to distribute the electric field into the LDD region. It is found using two dimensional simulations that the addition of a drift region of 1-?m in LDMOS improves the performance of the device in terms of breakdown-voltage and switching-speed over the conventional MOSFET.
Ключевые слова: Electronic devices