Ваш любимый книжный интернет-магазин
Перейти на
GlavKniga.SU
Ваш город: Алматы
Ваше местоположение – Алматы
 Да 
От вашего выбора зависит время и стоимость доставки
Корзина: пуста
Авторизация 
  Логин
  
  Пароль
  
Регистрация  Забыли пароль?

Поиск по каталогу 
(строгое соответствие)
ISBN
Фраза в названии или аннотации
Автор
Язык книги
Год издания
с по
Электронный носитель
Тип издания
Вид издания
Отрасли экономики
Отрасли знаний
Сферы деятельности
Надотраслевые технологии
Разделы каталога
худ. литературы

Near-Field Radiative Heat Transfer at Nanometer Distances.

В наличии
Местонахождение: АлматыСостояние экземпляра: новый
Бумажная
версия
Автор: Soumyadipta Basu
ISBN: 9783639519181
Год издания: 2013
Формат книги: 60×90/16 (145×215 мм)
Количество страниц: 148
Издательство: Scholars' Press
Цена: 39887 тг
Положить в корзину
Позиции в рубрикаторе
Отрасли знаний:
Код товара: 126464
Способы доставки в город Алматы *
комплектация (срок до отгрузки) не более 2 рабочих дней
Самовывоз из города Алматы (пункты самовывоза партнёра CDEK)
Курьерская доставка CDEK из города Москва
Доставка Почтой России из города Москва
      Аннотация: This book provides a thorough investigation of near-field heat transfer between parallel plates separated by a vacuum gap of nanometer distances which has potential applications in energy conversion devices, nanofabrication, and near-field imaging. Near-field heat transfer between doped Si plates at varying doping levels is calculated using the improved dielectric functions developed through this dissertation. The near-field energy transfer between two semi-infinite media is maximum when the real part of dielectric function is around -1 due to the excitation of surface waves. The optimized Drude model always results in greater near-field heat transfer compared to the Lorentz model and the maximum achievable near-field heat transfer is nearly 1 order greater than that between real materials. Unlike far-field radiation, the penetration depth in near-field heat transfer is dependent on the vacuum gap. This unusual feature results in a 10 nm thick SiC film behaving as completely opaque at 10 nm vacuum gap. The energy streamlines inside the emitter, receiver, and the vacuum gap are calculated which helps to decide the physical dimensions of the media exchanging thermal radiation
Ключевые слова: optimization, FTIR, Streamlines, Energy, Near-field, Thermal radiation, Doped Silicon, Fluctuation, Green's Function, penetration depth, Drude, Lorentz, Nanoscale, Dielectric Function