Ваш любимый книжный интернет-магазин
Перейти на
GlavKniga.SU
Ваш город: Алматы
Ваше местоположение – Алматы
 Да 
От вашего выбора зависит время и стоимость доставки
Корзина: пуста
Авторизация 
  Логин
  
  Пароль
  
Регистрация  Забыли пароль?

Поиск по каталогу 
(строгое соответствие)
ISBN
Фраза в названии или аннотации
Автор
Язык книги
Год издания
с по
Электронный носитель
Тип издания
Вид издания
Отрасли экономики
Отрасли знаний
Сферы деятельности
Надотраслевые технологии
Разделы каталога
худ. литературы

Fabrication and physical properties of CdS, ZnTe and ZnSe thin films.

В наличии
Местонахождение: АлматыСостояние экземпляра: новый
Бумажная
версия
Автор: Zuliqar Ali,Asghari Maqsood and Akram Aqili
ISBN: 9783847378433
Год издания: 2014
Формат книги: 60×90/16 (145×215 мм)
Количество страниц: 160
Издательство: LAP LAMBERT Academic Publishing
Цена: 42249 тг
Положить в корзину
Позиции в рубрикаторе
Отрасли знаний:
Код товара: 132429
Способы доставки в город Алматы *
комплектация (срок до отгрузки) не более 2 рабочих дней
Самовывоз из города Алматы (пункты самовывоза партнёра CDEK)
Курьерская доставка CDEK из города Москва
Доставка Почтой России из города Москва
      Аннотация: The II-VI compound semiconductor thin films (CdS, ZnTe and ZnSe) have been prepared by different methods such as electron beam vacuum evaporation, closed space sublimation and two-sourced thermal evaporation. The effects of deposition parameters are discussed in detail, structural, optical and electrical properties have been studied. In spite of that the main goal is to get comparatively high electrical conductivity of the films, the optical properties of the films were also very important from the application point of view. For reducing the resistivity of II-VI group semiconductor thin films, doping with different materials were performed using an ion exchange method. These films have been doped with (Cu, Ag) dopant to make it p-type. The ion exchange parameters such as solution temperature, concentration and immersion time, and its effect on the speed of the process and further on the status of the resulting films was carefully determined and analyzed. Also the effect of post heat treatment, on the physical properties and the composition of the resulting films are discussed in detail.
Ключевые слова: doping, optical, Electrical and Structural Properties, Semiconductor Thin films, doping, optical, Electrical and Structural Properties, Semiconductor Thin films