Поиск по каталогу |
(строгое соответствие)
|
- Профессиональная
- Научно-популярная
- Художественная
- Публицистика
- Детская
- Искусство
- Хобби, семья, дом
- Спорт
- Путеводители
- Блокноты, тетради, открытки
DC, microwave, noise, and degradation properties of GaN based HEMTs.
В наличии
Местонахождение: Алматы | Состояние экземпляра: новый |
Бумажная
версия
версия
Автор: Congyong Zhu
ISBN: 9783639708325
Год издания: 2014
Формат книги: 60×90/16 (145×215 мм)
Количество страниц: 144
Издательство: Scholars' Press
Цена: 39744 тг
Положить в корзину
Позиции в рубрикаторе
Отрасли экономики:Код товара: 133653
Способы доставки в город Алматы * комплектация (срок до отгрузки) не более 2 рабочих дней |
Самовывоз из города Алматы (пункты самовывоза партнёра CDEK) |
Курьерская доставка CDEK из города Москва |
Доставка Почтой России из города Москва |
Аннотация: The advent of GaN based HEMTs has attracted enormous interest due to excellent material and device performance in the field of high-power and high-frequency amplifiers,as well as high voltage power switches. However, the commercialization of GaN based HEMTs requires detailed and comprehensive understanding on the material properties, device operation mechanisms, degradation behaviors and reliability properties. This book has a comprehensive study on the important issues regarding the device operation of GaN based HEMTs, which includes the DC, microwave, and noise properties with special focus on the device degradation study. The device degradation mechanisms as wells the role of traps have also been well explained.
Ключевые слова: GaN HEMT Noise microwave reliability degradation traps, device degradation, device performance, power switch, commercialization