Поиск по каталогу |
(строгое соответствие)
|
- Профессиональная
- Научно-популярная
- Художественная
- Публицистика
- Детская
- Искусство
- Хобби, семья, дом
- Спорт
- Путеводители
- Блокноты, тетради, открытки
Synthesis,Characterization of high k materials, Device Characteristics.
В наличии
Местонахождение: Алматы | Состояние экземпляра: новый |
Бумажная
версия
версия
Автор: Kalagadda Bikshalu
ISBN: 9783659711909
Год издания: 2015
Формат книги: 60×90/16 (145×215 мм)
Количество страниц: 188
Издательство: LAP LAMBERT Academic Publishing
Цена: 43243 тг
Положить в корзину
Способы доставки в город Алматы * комплектация (срок до отгрузки) не более 2 рабочих дней |
Самовывоз из города Алматы (пункты самовывоза партнёра CDEK) |
Курьерская доставка CDEK из города Москва |
Доставка Почтой России из города Москва |
Аннотация: This book is about the synthesis,Characterization of high k nano materials like La2o3 ,LaAlo3 and simulation of device characteristics for future CMOS applications.Synthesis and characterization of La2O3 and LaAlO3 materials by chemical methods like combustion method, pechini method and gelation precipitation method. (ii) Simulation of device characteristics for La2O3 and LaAlO3 materials,for Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors is done by Quantum wise and Nanohub simulation tools. Also design of Inverter, NAND, NOR gates are investigated for High K dielectric La2O3 gate materials (K=27) using Arizona State Universities Predictive Technology Models.
Ключевые слова: Nanodevices, nanoelectronics, nanotechnology