Поиск по каталогу |
(строгое соответствие)
|
- Профессиональная
- Научно-популярная
- Художественная
- Публицистика
- Детская
- Искусство
- Хобби, семья, дом
- Спорт
- Путеводители
- Блокноты, тетради, открытки
P-Type ZnO as Multifunctional Material for Optoelectronic Devices.
В наличии
Местонахождение: Алматы | Состояние экземпляра: новый |
Бумажная
версия
версия
Автор: L. P. Purohit and Trilok Pathak
ISBN: 9783659795756
Год издания: 2015
Формат книги: 60×90/16 (145×215 мм)
Количество страниц: 124
Издательство: LAP LAMBERT Academic Publishing
Цена: 32741 тг
Положить в корзину
Позиции в рубрикаторе
Сферы деятельности:Код товара: 152876
Способы доставки в город Алматы * комплектация (срок до отгрузки) не более 2 рабочих дней |
Самовывоз из города Алматы (пункты самовывоза партнёра CDEK) |
Курьерская доставка CDEK из города Москва |
Доставка Почтой России из города Москва |
Аннотация: ZnO is one of the most important members of transparent conductive oxide (TCO) materials. ZnO forms a technologically important class of material, exhibiting exceptional UV attenuation characteristics, blocking 95% of all UV radiation.Since the bandgap of ZnO is well above the visible region, prepared film are electrically conductive, which is leading to application for transparent p-n junction devices. ZnO naturally shows n-type conductivity due to a large number of native defects, such as oxygen vacancies and zinc interstitials, which leads to difficulty in achieving p- type ZnO thin films. The difficulty in the formation of p-type ZnO material is due to its self compensation effect, deep accepter level and low solubility of accepter dopants. Generally, realization of ZnO thin film p-type conductivity may be possible by substituting group-I elements (Li, Na, K and Ag) for Zn sites, or group-V elements (N, P, As, Sb) for O sites, or substituting group-III and V elements simultaneously for Zn and O sites respectively.
Ключевые слова: thin film, Oxide material, Deposition method, Characterization technique, ZnO application