Поиск по каталогу |
(строгое соответствие)
|
- Профессиональная
- Научно-популярная
- Художественная
- Публицистика
- Детская
- Искусство
- Хобби, семья, дом
- Спорт
- Путеводители
- Блокноты, тетради, открытки
Growth and Characterization of Boron Doped 3C-SiC as SolarCell Material. A presentation of fundamentals considering the growth and doping of cubic Siliconcarbide
В наличии
Местонахождение: Алматы | Состояние экземпляра: новый |
Бумажная
версия
версия
Автор: Philipp Schuh
ISBN: 9783639843538
Год издания: 2016
Формат книги: 60×90/16 (145×215 мм)
Количество страниц: 88
Издательство: AV Akademikerverlag
Цена: 22267 тг
Положить в корзину
Позиции в рубрикаторе
Отрасли экономики:Код товара: 154558
Способы доставки в город Алматы * комплектация (срок до отгрузки) не более 2 рабочих дней |
Самовывоз из города Алматы (пункты самовывоза партнёра CDEK) |
Курьерская доставка CDEK из города Москва |
Доставка Почтой России из города Москва |
Аннотация: The cubic Siliconcarbide (3C-SiC) polytype is one of over 200 different ways to crystallize the wide bandgap semiconductor SiC. For further research and industrial applications only four different types are relevant: 4H, 6H (hexagonal), 15R (rhombohedral) and 3C (cubic). With the lowest bandgap the 3C-SiC type leads to a variety of electronical applications like MOSFETs and IBSCs. This work presents the fundamentals of intermediate band gap solar cells and describes a way of growth and doping 3C-SiC crystals using the fast sublimation growth process in a physical vapor transport setup.
Ключевые слова: 3C-SiC, boron doped SiC, Intermediate band gap solar cell, IBSC, Physical Vapor Transport, PVT, Fast Sublimation Process, FSGP, Photoluminescence of 3C-SiC, Raman of 3C-SiC