Ваш любимый книжный интернет-магазин
Перейти на
GlavKniga.SU
Ваш город: Алматы
Ваше местоположение – Алматы
 Да 
От вашего выбора зависит время и стоимость доставки
Корзина: пуста
Авторизация 
  Логин
  
  Пароль
  
Регистрация  Забыли пароль?

Поиск по каталогу 
(строгое соответствие)
ISBN
Фраза в названии или аннотации
Автор
Язык книги
Год издания
с по
Электронный носитель
Тип издания
Вид издания
Отрасли экономики
Отрасли знаний
Сферы деятельности
Надотраслевые технологии
Разделы каталога
худ. литературы

Optoelectronic Properties of Gaussian DQWell for RTD Application.

В наличии
Местонахождение: АлматыСостояние экземпляра: новый
Бумажная
версия
Автор: Arpan Deyasi and Debasmita Sarkar
ISBN: 9783659979378
Год издания: 2016
Формат книги: 60×90/16 (145×215 мм)
Количество страниц: 204
Издательство: LAP LAMBERT Academic Publishing
Цена: 40423 тг
Положить в корзину
Позиции в рубрикаторе
Отрасли экономики:
Код товара: 164979
Способы доставки в город Алматы *
комплектация (срок до отгрузки) не более 2 рабочих дней
Самовывоз из города Алматы (пункты самовывоза партнёра CDEK)
Курьерская доставка CDEK из города Москва
Доставка Почтой России из города Москва
      Аннотация: In this work, electronic and optoelectronic properties of Gaussian double quantum well is numerically computed in presence of electric field applied along the direction of quantum confinement. Structural parameters and material composition are tuned in order to study the variation of eigenenergies of lowest three levels and density of states. Tailorable carrier states and controllable intersubband transition are the features that can be utilized for design of photodetector. Absorption coefficient and oscillator strength are also calculated for the same purpose. Results are compared with ideal parabolic potential profile. Kane type band nonparabolicity of first order is considered for realistic simulation. Obtained results have profound importance for design of quantum well based optoelectronic devices.
Ключевые слова: Nanostructure, Numerical techniques, Oscillator strength, Quantum Well, Gaussian potential, Intersubband transition, Absorption coefficient