Поиск по каталогу |
(строгое соответствие)
|
- Профессиональная
- Научно-популярная
- Художественная
- Публицистика
- Детская
- Искусство
- Хобби, семья, дом
- Спорт
- Путеводители
- Блокноты, тетради, открытки
Optoelectronic and structural properties of a-As/c-Si junction.
В наличии
Местонахождение: Алматы | Состояние экземпляра: новый |
Бумажная
версия
версия
Автор: Jinan Hussein
ISBN: 9783659814983
Год издания: 2016
Формат книги: 60×90/16 (145×215 мм)
Количество страниц: 116
Издательство: LAP LAMBERT Academic Publishing
Цена: 30038 тг
Положить в корзину
Позиции в рубрикаторе
Отрасли знаний:Код товара: 167055
Способы доставки в город Алматы * комплектация (срок до отгрузки) не более 2 рабочих дней |
Самовывоз из города Алматы (пункты самовывоза партнёра CDEK) |
Курьерская доставка CDEK из города Москва |
Доставка Почтой России из города Москва |
Аннотация: The amorphous Arsenic is one of the major elements which is working as a junction with silicon. Arsenic films with different thicknesses have been deposited by thermal evaporation technique on glass substrates and c-Si wafer at substrate temperature equal to room temperature under vacuum of 10-5 mbar. These films have been annealed at different annealing temperatures. The structural characteristics of the films prepared on glass substrates have been studied by using X-ray diffraction and AFM. These tests show that all the films have amorphous structure for all thicknesses at room temperature. Crystal growth and recrystallization were observed with increasing Ta which could be due to the structure transformation to partial crystalline.
Ключевые слова: arsenic, electrical, optoelectronic, Silicon, junction, solarcell, structural semiconductor