Ваш любимый книжный интернет-магазин
Перейти на
GlavKniga.SU
Ваш город: Алматы
Ваше местоположение – Алматы
 Да 
От вашего выбора зависит время и стоимость доставки
Корзина: пуста
Авторизация 
  Логин
  
  Пароль
  
Регистрация  Забыли пароль?

Поиск по каталогу 
(строгое соответствие)
ISBN
Фраза в названии или аннотации
Автор
Язык книги
Год издания
с по
Электронный носитель
Тип издания
Вид издания
Отрасли экономики
Отрасли знаний
Сферы деятельности
Надотраслевые технологии
Разделы каталога
худ. литературы

Built in polarization and thermal property of AlGaN/GaN heterostructure.

В наличии
Местонахождение: АлматыСостояние экземпляра: новый
Бумажная
версия
Автор: Bijay Kumar Sahoo
ISBN: 9783330075245
Год издания: 2017
Формат книги: 60×90/16 (145×215 мм)
Количество страниц: 88
Издательство: LAP LAMBERT Academic Publishing
Цена: 22267 тг
Положить в корзину
Позиции в рубрикаторе
Отрасли знаний:
Код товара: 171871
Способы доставки в город Алматы *
комплектация (срок до отгрузки) не более 2 рабочих дней
Самовывоз из города Алматы (пункты самовывоза партнёра CDEK)
Курьерская доставка CDEK из города Москва
Доставка Почтой России из города Москва
      Аннотация: Nitride heterostructures are of outstanding current interest for a wide range of device applications. AlxGa1-xN/GaN heterostructure devices operate at high power and high frequencies. Therefore, strong self-heating effect is expected in the AlGaN/GaN heterostrucure. The physical phenomena responsible for the self-heating effect and properties that can minimize the effect should be explored. The intensity of polarization field at the interface of AlGaN/GaN heterostructure is of the order of several MV/cm. These fields are common feature of nitride heterostructures which significantly influences the distribution and mobility of carriers; hence have profound impact on optical, thermal and electrical properties of the heterostructures. In this work, the effect of built in field on thermal transport properties of heterostructure to minimize the self-heating has been presented. This study shows that polarization field contributes to the elastic constant of nitrides and enhances the phonon group velocity which makes phonon mean free path longer. High Debye temperature gives a positive contribution to thermal conductivity. This study will be useful for minimization of self-heating process.
Ключевые слова: AlGaN/GaN Heterostructures, Phonon Scattering, thermal conductivity, Built-in-polarization