Поиск по каталогу |
(строгое соответствие)
|
- Профессиональная
- Научно-популярная
- Художественная
- Публицистика
- Детская
- Искусство
- Хобби, семья, дом
- Спорт
- Путеводители
- Блокноты, тетради, открытки
Dielectric properties of thin tantalum and niobium oxide layers.
В наличии
Местонахождение: Алматы | Состояние экземпляра: новый |
Бумажная
версия
версия
Автор: Inas Abuetwirat
ISBN: 9783330085787
Год издания: 2017
Формат книги: 60×90/16 (145×215 мм)
Количество страниц: 116
Издательство: LAP LAMBERT Academic Publishing
Цена: 21810 тг
Положить в корзину
Позиции в рубрикаторе
Отрасли знаний:Код товара: 172999
Способы доставки в город Алматы * комплектация (срок до отгрузки) не более 2 рабочих дней |
Самовывоз из города Алматы (пункты самовывоза партнёра CDEK) |
Курьерская доставка CDEK из города Москва |
Доставка Почтой России из города Москва |
Аннотация: Dielectric relaxation spectroscopy is one of the useful methods in studying the molecular dynamics of materials. Owing to recent developments in instrumentation and advances in measurement technique, it is possible to obtain the dispersion of dielectric permittivity in a wide frequency range and for very different materials. This book investigates dielectric relaxation spectra and conductivity of oxides of niobium, tantalum for field emission cathodes. Frequency and temperature behaviour of these oxides are analysed, as well as their conductivity over a wide frequency and temperature range, to attempt and determine the origin of the relaxation. As the original range of oxides has been very broad, also with regard to their application in electrolytic capacitors. The author would like to express her special thanks to Dr. Karel Liedermann and Prof. Peter Lunkenheimer for their help and guidance in completing her research.
Ключевые слова: Dielectric Relaxation, Dielectric spectroscopy, electrical conductivity, tantalum oxide, dielectric spectra, niobium oxide