Ваш любимый книжный интернет-магазин
Перейти на
GlavKniga.SU
Ваш город: Алматы
Ваше местоположение – Алматы
 Да 
От вашего выбора зависит время и стоимость доставки
Корзина: пуста
Авторизация 
  Логин
  
  Пароль
  
Регистрация  Забыли пароль?

Поиск по каталогу 
(строгое соответствие)
ISBN
Фраза в названии или аннотации
Автор
Язык книги
Год издания
с по
Электронный носитель
Тип издания
Вид издания
Отрасли экономики
Отрасли знаний
Сферы деятельности
Надотраслевые технологии
Разделы каталога
худ. литературы

Quantum Electron Dynamics Of Some Nanodevices.

В наличии
Местонахождение: АлматыСостояние экземпляра: новый
Бумажная
версия
Автор: Hend El_Demsisy,Hend Ahmed Ahmed Ahmed El_Demsisy and Adel Helmy Phillips
ISBN: 9783330326408
Год издания: 2017
Формат книги: 60×90/16 (145×215 мм)
Количество страниц: 76
Издательство: LAP LAMBERT Academic Publishing
Цена: 21841 тг
Положить в корзину
Позиции в рубрикаторе
Отрасли знаний:
Код товара: 177141
Способы доставки в город Алматы *
комплектация (срок до отгрузки) не более 2 рабочих дней
Самовывоз из города Алматы (пункты самовывоза партнёра CDEK)
Курьерская доставка CDEK из города Москва
Доставка Почтой России из города Москва
      Аннотация: The purpose of the current book is to explore the characteristics of quantum carrier transport of a single walled carbon nanotube quantum dot field-effect-transistor (SWCNTFET) subjected to both a magnetic field and an ac-field (mid infrared region). The effect of tensile strain for zigzag, chiral and armchair SWCNTs will be taken into consideration. Also, it is interesting to investigate the thermoelectric effect, that is, Seebeck and Peltier coefficients in the present different types of strained single walled carbon nanotube quantum dot field effect transistor (SWCNTFET) under the influence of an ac-field with frequency in the mid infrared region and magnetic field. The thermoelectric Seebeck and Peltier effects of the armchair, zigzag and chiral SWCNT quantum dot nanodevice are investigated, taking into consideration of certain value of applied tensile strain and induced ac-field with frequency in THz rang.
Ключевые слова: CNTFETs