Поиск по каталогу |
(строгое соответствие)
|
- Профессиональная
- Научно-популярная
- Художественная
- Публицистика
- Детская
- Искусство
- Хобби, семья, дом
- Спорт
- Путеводители
- Блокноты, тетради, открытки
Theoretical Study of Electrical Properties of n-type GaN. Transport in Nanostructure
В наличии
Местонахождение: Алматы | Состояние экземпляра: новый |
Бумажная
версия
версия
Автор: Dr. Arindam Biswas,Dr. Sandip Haldar and Dr. Debasish Sarkar
ISBN: 9786139834945
Год издания: 2018
Формат книги: 60×90/16 (145×215 мм)
Количество страниц: 76
Издательство: LAP LAMBERT Academic Publishing
Цена: 21841 тг
Положить в корзину
Способы доставки в город Алматы * комплектация (срок до отгрузки) не более 2 рабочих дней |
Самовывоз из города Алматы (пункты самовывоза партнёра CDEK) |
Курьерская доставка CDEK из города Москва |
Доставка Почтой России из города Москва |
Аннотация: In this book, A theoretical model of energy loss mechanism as a function of electron temperature and electron concentration has been given for n-type GaN structures. The energy relaxation rates and mobility for warm and hot electrons have been calculated for over the electron temperature(T) range of 1.5 to 500 K at lattice temperature T0=1.5 K. It has been found that the acoustic phonon scattering due to deformation potential and piezoelectric coupling are the dominant scattering mechanisms at low electron temperatures (Te<100 K). For Te >100 K, the polar optic phonon scattering becomes the effective scattering mechanism. The optic phonon energy of GaN was obtained as 91.8 meV and the PO phonon emission time as 8.6 fs. Also, the drift velocity of electrons as function of electron temperature and electric field has been obtained. The theoretical results are compared with available experimental results and a good agreement is observed.
Ключевые слова: GaN, Transport Phenomenon