| Поиск по каталогу |
|
(строгое соответствие)
|
- Профессиональная
- Научно-популярная
- Художественная
- Публицистика
- Детская
- Искусство
- Хобби, семья, дом
- Спорт
- Путеводители
- Блокноты, тетради, открытки
Indium concentration on InGaN/GaN nanolayers quantum well.
В наличии
| Местонахождение: Алматы | Состояние экземпляра: новый |
Бумажная
версия
версия
Автор: Samane Sadat Ahmadi and Seyed Ali Hashemizade
ISBN: 9786139911684
Год издания: 2018
Формат книги: 60×90/16 (145×215 мм)
Количество страниц: 100
Издательство: LAP LAMBERT Academic Publishing
Цена: 31889 тг
Положить в корзину
| Способы доставки в город Алматы * комплектация (срок до отгрузки) не более 2 рабочих дней |
| Самовывоз из города Алматы (пункты самовывоза партнёра CDEK) |
| Курьерская доставка CDEK из города Москва |
| Доставка Почтой России из города Москва |
Аннотация: We believe that positive ion plays an important role in Indium-containing nitride compounds. Increasing indium, even in low amounts in nitride compounds, has been shown to increase the intensity of the radiation spectrum in LEDs and LDs.. This is related to an increase in the radiation spectrum with the effect of indium. There are various results that confirm the effect of fluctuations in the indium diffusion in nitride alloys.
Ключевые слова: Indium, InGaN, GaN, nanolayers