Поиск по каталогу |
(строгое соответствие)
|
- Профессиональная
- Научно-популярная
- Художественная
- Публицистика
- Детская
- Искусство
- Хобби, семья, дом
- Спорт
- Путеводители
- Блокноты, тетради, открытки
Introduction to Junctionless Double Gate MOSFET.
В наличии
Местонахождение: Алматы | Состояние экземпляра: новый |
Бумажная
версия
версия
Автор: Gaurav Dhiman and Rajeev Pourush
ISBN: 9786139462483
Год издания: 2019
Формат книги: 60×90/16 (145×215 мм)
Количество страниц: 60
Издательство: LAP LAMBERT Academic Publishing
Цена: 23208 тг
Положить в корзину
Позиции в рубрикаторе
Отрасли экономики:Код товара: 221063
Способы доставки в город Алматы * комплектация (срок до отгрузки) не более 2 рабочих дней |
Самовывоз из города Алматы (пункты самовывоза партнёра CDEK) |
Курьерская доставка CDEK из города Москва |
Доставка Почтой России из города Москва |
Аннотация: The field effect transistors (FETs) fabricated in integrated circuits are majorly with junctions. Due to the device scaling down, the fabrication of these junctions has become gradually more difficult. Also, there is a stringent necessity for having high doping concentration gradient for the smooth functioning of the device. Recently, researchers are focusing on new devices where devices are junction less and no doping gradient requirement. One such structure is the junctionless double gate MOSFET (JL-DG MOSFET) which has shown improved performance against short channel effect, namely drain induced barrier lowering (DIBL), changes in threshold voltage etc.
Ключевые слова: MOSFET, Junctionless, Double Gate, Moore's law