Ваш любимый книжный интернет-магазин
Перейти на
GlavKniga.SU
Ваш город: Алматы
Ваше местоположение – Алматы
 Да 
От вашего выбора зависит время и стоимость доставки
Корзина: пуста
Авторизация 
  Логин
  
  Пароль
  
Регистрация  Забыли пароль?

Поиск по каталогу 
(строгое соответствие)
ISBN
Фраза в названии или аннотации
Автор
Язык книги
Год издания
с по
Электронный носитель
Тип издания
Вид издания
Отрасли экономики
Отрасли знаний
Сферы деятельности
Надотраслевые технологии
Разделы каталога
худ. литературы

Кремниевые фото преобразовательные элементы с барьерами Шоттки. Фото преобразовательные елементы для солнечной энергетики

В наличии
Местонахождение: АлматыСостояние экземпляра: новый
Бумажная
версия
Автор: Ислам Пашаев
ISBN: 978-3-659-49709-4
Год издания: 2013
Формат книги: 60×90/16 (145×215 мм)
Количество страниц: 116
Издательство: LAP LAMBERT Academic Publishing
Цена: 32457 тг
Положить в корзину
Позиции в рубрикаторе
Отрасли знаний:
Код товара: 434372
Способы доставки в город Алматы *
комплектация (срок до отгрузки) не более 2 рабочих дней
Самовывоз из города Алматы (пункты самовывоза партнёра CDEK)
Курьерская доставка CDEK из города Москва
Доставка Почтой России из города Москва
      Аннотация: Данная книга посвящена получению и исследованию кремниевых фото преобразовательных элементов(ФПЭ) с барьерами Шоттки для солнечной энергетики. Исследование электрофизических свойств (ФПЭ) с барьерами Шоттки на основе аморфного сплава (Au38Ti62,Pb52Sb48,Ni35Ti65)/(n+)-Si . Одновременно изучено влияние ультразвуковой обработки на свойства кремниевых ФПЭ с барьерами Шоттки. Рассмотрены экспериментальные результаты, доказывающие возможность влияния и управления параметрами кремниевых ФПЭ с помощью ультразвуковой обработки (УЗО). Показана возможность частичного восстановления фотоэлектрических и электрофизических свойств ФПЭ, нарушенных g-облучением, с помощью ультразвуковой обработки. C целью исследования влияния УЗО на изменение механизма токопереноса, после каждого этапа ультразвуковой обработки, измерялись фотоэлектрические и электрофизические свойства и температурные зависимости ВАХ кремниевых ФПЭ в прямом и обратном направлении тока. Эта книга может заинтересовать инженеров-физиков, специалистов по микро- и наноэлектронике, научных работников, занимающихся радиоэлектроникой, твердотельной и физической электроникой, радиофизикой.
Ключевые слова: фотоэлектроны, кремниевых, фото преобразователь, p-n-перехода, облучению g-квантами, барьер Шоттки, фоточувствитель¬