Поиск по каталогу |
(строгое соответствие)
|
- Профессиональная
- Научно-популярная
- Художественная
- Публицистика
- Детская
- Искусство
- Хобби, семья, дом
- Спорт
- Путеводители
- Блокноты, тетради, открытки
Properties of Magnesium doped Antimony Sulphide Thin Films. Applications of Chemically Deposited Magnesium doped Antimony Sulphide Thin Films in Optoelectronic Devices
В наличии
Местонахождение: Алматы | Состояние экземпляра: новый |
Бумажная
версия
версия
Автор: Samuel Ugochukwu Ele,Patrick Akata Nwofe and Chinenye Ezekoye
ISBN: 9786200234162
Год издания: 2019
Формат книги: 60×90/16 (145×215 мм)
Количество страниц: 84
Издательство: LAP LAMBERT Academic Publishing
Цена: 24061 тг
Положить в корзину
Позиции в рубрикаторе
Отрасли знаний:Код товара: 502168
Способы доставки в город Алматы * комплектация (срок до отгрузки) не более 2 рабочих дней |
Самовывоз из города Алматы (пункты самовывоза партнёра CDEK) |
Курьерская доставка CDEK из города Москва |
Доставка Почтой России из города Москва |
Аннотация: This Book "Properties of Magnesium doped Antimony Sulphide Thin Films" focuses on the Morphological and optical Properties of Chemically deposited Magnesium doped Antimony sulphide thin films for application in optoelectronic devices and in other related applications. The research was carried out both in Ebonyi State University Abakaliki and at the Center for Research, Obafemi Awolowo University Ile-Ife. The raw data obtained from the characterization of the deposited Antimony Sulphide films were analysed using Origin Lab software. This book will be useful for scholars, researchers and students in various disciplines such as material science, solar energy physics and solid state physics.
Ключевые слова: Antimony Sulphide, Energy Band gap, X-ray Diffraction, Dopants, annealing temperatures, hetro-junction, optoelectronic device, orthorhombic crystal structure, thin films