Баллистический и поверхностный фотогальванический эффект.

      Аннотация: Прогресс в технологии полупроводников позволил создавать устройства с заданными параметрами, привлекая внимание к поляризационно-зависимым фотогальваническим явлениям. Особое внимание уделяется исследованиям в области полупроводниковой фотоники, включая взаимодействие поляризованного излучения с носителями тока в полупроводниках и их наноструктурах. Эти исследования открывают новые направления в наноэлектронике, фотонике и спинтронике, а также способствуют фундаментальным научным открытиям.

Ключевые слова: Фотонно-кинетические свойства полупроводников, низкоразмерные системы, квантовые ямы, Эффекты размерного квантования, Носители заряда в наноструктурах, Энергетический спектр квазичастиц, Поляризационно-зависимые фотогальванические явления